کمپانی هیتاچی (HGST) اجلاس حافظه فلش (Flash Memory) در سانتا کلارای کالیفرنیا را مغتنم شمرده و از این فرصت مناسب برای معرفی نوع جدیدی از درایوهای SSD استفاده نمود که در ساخت آن به جای فلش مموری از نوعی فناوری جدید و نوظهور با نام حافظه تغییر فاز (Phase Change) بهره گرفته شده است.
هماطور که احتمالا حدس زده‌اید، این نوع حافظه‌های غیرمتغیر که در ساخت SSDهای جدید هیتاچی مورد استفاده قرار گرفته‌اند سرعت بسیار بالایی دارند. در این نوع از حافظه‌ها از اینترفیس PCI بهره گرفته شده است و به همین دلیل سرعت خواندن تصادفی آنها برابر با 3 میلیون بیت در هر ثانیه است و بازه زمانی تأخیر پاسخگویی آن نیز حدود 1.5 میکرو ثانیه است.
اگر بخواهیم مقایسه‌ای میان این دو نوع حافظه انجام دهیم باید بگوییم که حافظه‌های ناند فلش برای پاسخگویی به درخواست دریافت داده حدودا به 70 میکرو ثانیه نیاز دارند که بر اساس اطلاعات منتشر شده از سوی هیتاچی، این زمان در فناوری ارائه شده توسط این کمپانی به مراتب پایین‌تر است.
استیو کمپبل یکی از مدیران هیتاچی در یک کنفرانس مطبوعاتی اعلام داشت که این فناوری نتیجه چندین سال تحقیق و توسعه است که با هدف بالا بردن سزعت درایوهای SSD مورد استفاده در مصارف تجاری ارائه شده است.
متأسفانه این فناوری جدید و پر سرعت کاملا برای کاربرد در کالاهای مصرفی آماده نیست. آقای الریچ هانسن مدیر بخش بازاریابی SSDهای هیتاچی در همین رابطه اظهار داشت برای آنکه این فناوری به مرحله پختگی برسد و به اندازه کافی ارزان شود که توان رقابت با ماژول‌های مبتنی بر حافظه فلش امروزی را داشته باشد دست کم به یک بازه زمانی دو تا سه ساله نیاز است.