کمپانی سامسونگ این هفته اعلام کرد که به تحولی بزرگ در ساخت ماژول‌های DRAM کوچک با کارایی بالا دست یافته است. این کمپانی موفق شد که نخستین DDR3 20 نانومتری 4 گیگابیتی خود را تولید کند.
درست مانند همه فناوری‌های نیمه‌رسانا، هر چه ترانزیستورها کوچک‌تر باشند، ظرفیت بیشتری خواهند داشت و هرچه از نظر مداری کوچک‌تر باشند، تولید چیپ با همان ظرفیت یا میزان بیشتر نیز ارزان‌تر تمام می شود.
این DDR3 ها در انواع سیستم دسکتاپ، نوت بوک، الترا بوک و تبلت مورد استفاده قرار خواهند گرفت و آنگونه که کمپانی تولید کننده می‌گوید مشتریان با استفاده از این رم‌ها شاهد کاهش قابل توجه مصرف برق و در نهایت پایین آمدن هزینه‌های خود خواهند بود.
در حال حاضر سامسونگ این DDR3های جدید را در اختیار برخی از تولیدکنندگان قرار داده است و انتظار می‌رود که تا پایان امسال، شاهد استفاده از این DRAMها در انواع سیستم‌های کامپیوتری باشیم.
ظرف 5 سال اخیر، کمپانی سامسونگ مرتبا ترانزیستورهای DRAM خود را کوچک و کوچک‌تر نموده و ابعاد آن را از 50 نانومتر (در سال 2009) به 30 نانومتر (در سال 2010) و 25 نانومتر (در سال 2011) رساند و اکنون از تولید انواع 20 نانومتری خود خبر می‌دهد.
در حال حاضر ناند فلش‌ها صدر نشین رقابت محصولات کوچک (با ابعاد تک رقمی) هستند و تردیدی نیست که کاهش ابعاد مداری DRAM و رساندن آن به رقیب خود امری بسیار دشوار خواهد بود.
در حافظه‌های DRAM، هر پیل شامل یک خازن (جایی که شارژ الکترونیکی در آن نگهداری می‌شود) و یک ترانزیستور است که به یکدیگر متصل هستند در حالی که در حافظه‌های ناند فلش هر سلول تنها یک ترانزیستور دارد . بنابراین برای کوچک شدن DRAM هم ترانزیستور و هم خازن هر دو باید کوچک شوند.
بنابر گفته مدیران سامسونگ، ماژول‌های DDR3 جدید این کمپانی می‌توانند تا 25 درصد از انرژی مصرفی را در قیاس با انواع 25 نانومتری قبلی کاهش دهند.