توشیبا و سندیسک به فناوری ساخت ناند فلش 15 نانومتری نزدیک تر میشوند

بر اساس جدیدترین گزارش منتشره، توشیبا و سندیسک که از غول‌های حافظه دنیا هستند به تازگی اعلام کرده‌اند که فاز دوم پروژه ساخت تأسیسات شماره 5 را در مرکز عملیاتی یوکایچی به اتمام رسانده است.

توشیبا و سندیسک در ماه اوت سال گذشته میلادی پروژه ساخت فاز دوم این کارخانه را آغاز کردند و براساس اخبار منتشره این کارخانه جدید قرار است که از ابتدای امسال فعالیت خود را در زمینه تولید ناند فلش‌های سه بعدی آغاز کند. در حال حاضر هنوز هم محصولی که با استفاده از ناندهای جدید ساخته شده باشد به بازار عرضه نشده است با این حال، اوایل همین سال بود که توشیبا در اجلاس فلش مموری (Flash Memory Summit) از ویفرهای ناند 15 نانومتری خود رونمایی کرد. در واقع این دو کمپانی از حدود ماه آوریل و می (مصادف با فروردین و اردیبهشت ماه 1393) کار تولید ناند فلش‌های 15 نانومتری را آغاز کرده‌اند.
علاوه بر این کمپانی‌های توشیبا و سندیسک پیشتر اعلام کرده بودند که کار ساخت کارخانه شماره 2 را در یوکایچی آغاز کرده‌اند. در اوایل امسال این دو کمپانی از تغییر کاربری تأسیسات شماره دو و جایگزین کردن ماشین‌آلات جدید در آن خبر دادند که برای تولید محصولات ناند سه بعدی مورد استفاده قرار خواهد گرفت. براساس اخبار منتشره، پیش‌بینی می‌شود که کار ساخت تأسیسات شماره 2 در تابستان سال 2015 به پایان برسد و در سال 2016 وارد چرخه تولید انبوه شود.
 

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

خدمات پس از فروش